TH58BYG2S3HBAI6

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集成电路IC

型号：TH58BYG2S3HBAI6

厂商： Kioxia America, Inc.

封装：IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA

库存：24169

DC：

备注：

制造商零件编号	TH58BYG2S3HBAI6
描述	IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA
制造商	Kioxia America, Inc.
库存	24169
系列	Benand™
存储器类型	非易失
存储器格式	闪存
技术	FLASH - NAND（SLC）
存储容量	4Gb（512M x 8）
存储器接口	并联
时钟频率	-
写周期时间 - 字，页	25ns
访问时间	25 ns
电压 - 供电	1.7V ~ 1.95V
工作温度	-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	67-VFBGA
供应商器件封装	67-VFBGA（6.5x8）
类别	存储器

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