MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E TR

盛泰捷科

网站首页

集成电路IC

型号：MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E TR

厂商：Micron Technology Inc.

封装：IC DRAM 64GBIT 2133MHZ 376WFBGA

库存：23208

DC：

备注：

制造商零件编号	MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E TR
描述	IC DRAM 64GBIT 2133MHZ 376WFBGA
制造商	Micron Technology Inc.
库存	23208
系列	-
存储器类型	易失
存储器格式	DRAM
技术	SDRAM - Mobile LPDDR4
存储容量	64Gb（1G x 64）
存储器接口	-
时钟频率	2.133 GHz
写周期时间 - 字，页	-
访问时间	-
电压 - 供电	1.1V
工作温度	-30°C ~ 85°C（TC）
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	376-WFBGA
供应商器件封装	376-WFBGA（14x14）
类别	存储器

消息提示